Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO

En el presente trabajo se ponen de manifiesto las propiedades más relevantes de la estructura de óxido de zinc con un dopaje de magnesio (10 % aproximadamente) en sinterizados y en películas delgadas fabricadas por la técnica de ablación láser [1]. El objetivo del trabajo fue determinar si el dopado...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Bridoux, Germán, Petersen Perpignal, Nathalie, Villafuerte, Manuel José
Publicado:	2019
Materias:	Ciencia de los materiales Compuestos inorgánicos Fotoluminiscencia Recursos energéticos
Acceso en línea:	https://bdigital.uncu.edu.ar/fichas.php?idobjeto=12693

date_str_mv	2019-10-18
autor_str_mv	Bridoux, Germán Petersen Perpignal, Nathalie Villafuerte, Manuel José
descriptores_str_mv	Ciencia de los materiales Compuestos inorgánicos Fotoluminiscencia Recursos energéticos
disciplina_str_mv	Ciencias e Investigación Ingeniería
description_str_mv	En el presente trabajo se ponen de manifiesto las propiedades más relevantes de la estructura de óxido de zinc con un dopaje de magnesio (10 % aproximadamente) en sinterizados y en películas delgadas fabricadas por la técnica de ablación láser [1]. El objetivo del trabajo fue determinar si el dopado de Mg incrementó la banda prohibida o gap respecto al ZnO [2]. Estudios de dispersión de energía de rayos x muestran que la pastilla sinterizada (blanco) no presenta segregación de MgO mientras que en las películas delgadas se observa una incorporación homogénea del Mg en la estructura de Zn1-xMgxO. Estudios de difracción de rayos x muestran que dichas películas han crecido epitaxialmente conservando la estructura wurzita del ZnO y con el eje c orientado perpendicularmente a la dirección del plano de la película. Estudios de espectrometría de dispersión de rayos x (EDX) confirman la incorporación de magnesio en las películas delgadas (x=0.05-0.07). Mediciones de fotoluminiscencia y fotoconductividad permiten estimar un gap de energía de EG= 3.6 eV en dichas películas confirmando el aumento respecto al ZnO (3.3 eV). Estos resultados indican que es posible diseñar y fabricar hetero-estructuras basadas en ZnO /ZnxMg1-xO sin modificar en forma significativa sus propiedades estructurales y combinando sus diferentes gaps de energía [3].
titulo_str_mv	Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO
object_type_str_mv	Ponencia
todos_str_mv	Universidad Nacional de Tucumán
id	12693
plantilla_str	Producción Científico Académica
record_format	Producción Científico Académica
tipo_str	textuales
type_str_mv	Articulos
title_full	Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO
title_fullStr	Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO
title_full_unstemmed	Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO
description	En el presente trabajo se ponen de manifiesto las propiedades más relevantes de la estructura de óxido de zinc con un dopaje de magnesio (10 % aproximadamente) en sinterizados y en películas delgadas fabricadas por la técnica de ablación láser [1]. El objetivo del trabajo fue determinar si el dopado de Mg incrementó la banda prohibida o gap respecto al ZnO [2]. Estudios de dispersión de energía de rayos x muestran que la pastilla sinterizada (blanco) no presenta segregación de MgO mientras que en las películas delgadas se observa una incorporación homogénea del Mg en la estructura de Zn1-xMgxO. Estudios de difracción de rayos x muestran que dichas películas han crecido epitaxialmente conservando la estructura wurzita del ZnO y con el eje c orientado perpendicularmente a la dirección del plano de la película. Estudios de espectrometría de dispersión de rayos x (EDX) confirman la incorporación de magnesio en las películas delgadas (x=0.05-0.07). Mediciones de fotoluminiscencia y fotoconductividad permiten estimar un gap de energía de EG= 3.6 eV en dichas películas confirmando el aumento respecto al ZnO (3.3 eV). Estos resultados indican que es posible diseñar y fabricar hetero-estructuras basadas en ZnO /ZnxMg1-xO sin modificar en forma significativa sus propiedades estructurales y combinando sus diferentes gaps de energía [3].
title	Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO
spellingShingle	Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO Ciencia de los materiales Compuestos inorgánicos Fotoluminiscencia Recursos energéticos Bridoux, Germán Petersen Perpignal, Nathalie Villafuerte, Manuel José
topic	Ciencia de los materiales Compuestos inorgánicos Fotoluminiscencia Recursos energéticos
topic_facet	Ciencia de los materiales Compuestos inorgánicos Fotoluminiscencia Recursos energéticos
publishDate	2019
author	Bridoux, Germán Petersen Perpignal, Nathalie Villafuerte, Manuel José
author_facet	Bridoux, Germán Petersen Perpignal, Nathalie Villafuerte, Manuel José
title_sort	Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO
title_short	Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO
url	https://bdigital.uncu.edu.ar/fichas.php?idobjeto=12693
estado_str	3
building	Biblioteca Digital
filtrotop_str	Biblioteca Digital
collection	Producción Científico Académica
institution	Sistema Integrado de Documentación
indexed_str	2023-04-25 00:35
_version_	1764120163958915072

Fabricación y caracterización de propiedades ópticas y opto-electrónicas de películas delgadas de Zn1-xMgxO

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