Cavidades ópticas con perfil recto y parabólico del índice de refracción en láseres de AlGaAs e InGaN
En la tesis se presenta un estudio sobre la influencia que tiene en los parámetros ópticos de los láseres semiconductores de Al Ga x 1-x As e In Ga x 1-x N las características de la cavidad óptica, evaluándose los perfiles rectos y parabólicos del índice de refracción. Se concluye que para...
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| Autor principal: | |
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| Autor Corporativo: | |
| Otros Autores: | , |
| Formato: | Libro electrónico |
| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
Ciudad de la Habana :
Editorial Universitaria,
2007.
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://elibro.net/ereader/siduncu/90024 |
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| 245 | 1 | 0 | |a Cavidades ópticas con perfil recto y parabólico del índice de refracción en láseres de AlGaAs e InGaN |h [recurso electronico] |c Juan Antonio Martín Alfonso ; tutores, María Sánchez Colina, Francisco García Reina. |
| 260 | |a Ciudad de la Habana : |b Editorial Universitaria, |c 2007. | ||
| 300 | |a 137 p. | ||
| 520 | |a En la tesis se presenta un estudio sobre la influencia que tiene en los parámetros ópticos de los láseres semiconductores de Al Ga x 1-x As e In Ga x 1-x N las características de la cavidad óptica, evaluándose los perfiles rectos y parabólicos del índice de refracción. Se concluye que para un único pozo cuántico en la zona activa la estructura recta es la que alcanza mayores valores del factor de confinamiento, pero a medida que aumenta la cantidad de pozos se alterna el dominio de una u otra estructura hasta que finalmente la parabólica alcanza los mayores valores. En lo referido al ancho angular del campo lejano generalmente la estructura parabólica presenta los mejores resultados. También se comprobó que un aumento del espesor de las capas cladding favorece el comportamiento de los parámetros ópticos, pero se determinó que estos parámetros también pueden optimizarse con una adecuada combinación de los espesores de las capas que forman la cavidad óptica, reduciéndose así el efecto de las anti-guías que se forman en los láseres en base a In Ga x 1-x N debido a la dificultad tecnológica para crecer capas cladding de Al Ga x 1-x As muy anchas. Finalmente se obtienen los valores de espesor, contenido de aluminio y posición de la capa de Al Ga x 1-x As, usada para el bloqueo de electrones en las estructuras rectas en base a In Ga x 1-x N, que optimizan los parámetros ópticos de la cavidad láser. En general se concluye que esta capa tiene una influencia positiva en la disminución del ancho angular pero sin superar los resultados que en tal sentido se logran con la estructura parabólica. | ||
| 533 | |a Recurso electrónico. Santa Fe, Arg.: e-libro, 2015. Disponible vía World Wide Web. El acceso puede estar limitado para las bibliotecas afiliadas a e-libro. | ||
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