Druckabhängigkeit der elektronischen Bandstruktur und der optischen Egenschaften von Ge, GaAs und GaxIn1-xP /

Druckabhängigkeit der elektronischen Bandstruktur und der optischen Egenschaften von Ge, GaAs und GaxIn1-xP /

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Goñi, Alejandro R.
Otros Autores: Cardona, M., Umbach, E., Universität Stuttgart zur Erlangung. Fakultät Physik, Max-Planck-Institut für Ferstkörperfschung.
Formato: Libro
Lenguaje:Alemán
Publicado: 1989.
Materias:
Semiconductors materials > Theses.
Germanium > Theses.
Gallium arsenides > Theses.
Optical properties > Theses.
Pressure dependence > Theses.
Materiales semiconductores > Tesis.
Germanio > Tesis.
Arseniuros de galio > Tesis.
Propiedades ópticas > Tesis.
Influencia de la presión > Tesis.
Descripción
Notas:Directores de tesis: M. Cardona y E. Umbach.
"Max-Planck-Institut für Ferstkörperfschung".
Descripción Física:185 p. : il., gráficos ; 30 cm.
Bibliografía:Bibliografía: p. 174-183.

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