Estudio del corrimiento en energía de la fotoluminiscencia del GaP tipo n con la temperatura y la intensidad de excitación /

Ejemplares similares

• Defect recognition in semiconductors before and after processing : proceedings of the fourth International Conference, Wilmslow, UK, 18-22 March, 1991 /
  por: International Symposium on Defect Recognition and Image Processing in III-V Compounds (4th : 1991 : Wilmslow, England)
  Publicado: (c1992.)
• Interferometría por corrimiento de fase para caracterizar materiales electro-ópticos
  por: Rueda P., J. E.
  Publicado: (2006)
• Cavidades ópticas con perfil recto y parabólico del índice de refracción en láseres de AlGaAs e InGaN
  por: Martín Alfonso, Juan Antonio.
  Publicado: (2007)
• Excitaciones de baja energía y superconductividad en los cupratos /
  por: Lema, Fabián M.
  Publicado: (1997.)
• Efectos de matriz en espectrometría de emisión atómica con plasma inductivamente acoplado y el uso de la relación de intensidad Mg II 280 nm / Mg I 285 nm /
  por: Romero, Xiomara.
  Publicado: (2007)