Transport, correlation, and structural defects /
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Formato: | Libro |
Lenguaje: | |
Publicado: |
Singapore ; Teaneck, N.J. :
World Scientific,
c1990.
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Colección: | Advances in disordered semiconductors ;
v. 3 |
Materias: |
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Inventario | Ej. | Ubicación | Disponibilidad | Estado de Circulación |
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18512 | 1 | 539.213 F919 | Sala | Disponible |