Transport, correlation, and structural defects /
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Formato: | Libro |
Lenguaje: | |
Publicado: |
Singapore ; Teaneck, N.J. :
World Scientific,
c1990.
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Colección: | Advances in disordered semiconductors ;
v. 3 |
Materias: |
Notas: | Incluye indices. |
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Descripción Física: | x, 305 p. : il. ; 23 cm. |
Bibliografía: | Incluye referencias bibliográficas. |
ISBN: | 9971509733 |